FF200R06KE3 Datasheet, Ciri, dan Aplikasi Perindustrian
2025-04-03 197

FF200R06KE3 oleh Infineon Technologies adalah komponen yang kuat yang digunakan dalam menguruskan keperluan kuasa tinggi dengan cekap.Modul ini dibungkus dalam saiz yang kecil tetapi memberikan prestasi tinggi dengan teknologi IGBT maju dan ciri khas untuk kecekapan yang lebih baik.Artikel ini menerangkan ciri utama modul, reka bentuk, dan faedah, menekankan peranannya dalam pelbagai aplikasi.

Katalog

FF200R06KE3 Gambaran Keseluruhan

The FF200R06KE3, yang dibuat oleh Infineon Technologies, adalah modul Transistor Bipolar Gate Dwi Dual yang menonjol dengan 600 V, 200 spesifikasi.Dibuang dalam pakej 62 mm padat, ia menggabungkan teknologi Trenchstop ™ IGBT3 dengan 3 diod dikawal pemancar.Integrasi ini meningkatkan kecekapan dan prestasi, menjadikannya pilihan utama untuk aplikasi yang memerlukan pengurusan kuasa yang mantap.

Bagi mereka yang ingin meletakkan pesanan pukal, FF200R06KE3 menawarkan penyelesaian yang boleh dipercayai dan berprestasi tinggi untuk memenuhi keperluan anda.

Ciri -ciri FF200R06KE3

• Voltan dan penilaian semasa: Mampu mengendalikan sehingga 600 V dan 200 A, menjadikannya sesuai untuk aplikasi kuasa tinggi.

• Teknologi Lanjutan: Menggunakan Trenchstop ™ IGBT3 dan pemancar dikawal 3 teknologi diod untuk ciri -ciri penukaran yang dioptimumkan, termasuk kelembutan yang lebih baik dan kerugian penukaran yang dikurangkan.

• Suhu operasi yang tinggi: Direka untuk beroperasi pada suhu sehingga 150 ° C, memastikan kebolehpercayaan di bawah keadaan menuntut.

• Gaya pemasangan: Mempunyai reka bentuk gunung skru untuk pemasangan yang selamat dan mudah.

• Pensijilan UL/CSA: Bersertifikat di bawah UL1557 E83336, memenuhi piawaian keselamatan dan prestasi yang ketat.

• Pematuhan ROHS: Mematuhi sekatan Arahan Bahan Berbahaya, mencerminkan reka bentuknya yang mesra alam.

Spesifikasi FF200R06KE3

Nilai undian maksimum

Nilai ciri

FF200R06KE3 Rajah litar

Rajah litar menunjukkan struktur dalaman modul IGBT FF200R06KE3.Ia mempunyai dua transistor IGBT yang disambungkan dalam konfigurasi separuh jambatan, yang biasa untuk menukar aplikasi seperti inverter dan pemacu motor.Terminal 1 dan 3 adalah pengumpul setiap IGBT, manakala terminal 2 dan 4 adalah pemancar.Setiap IGBT dipasangkan dengan diod anti-selari, yang membolehkan arus mengalir ke arah yang bertentangan semasa beralih.Terminal 5 dan 6 mewakili kawalan pintu untuk IGBTS, dan Terminal 7 adalah sambungan pemancar bersama.Susun atur ini menyokong pemulihan yang cekap dan pemulihan terbalik yang boleh dipercayai melalui diod terbina dalam.Ia direka untuk mengendalikan arus tinggi dan voltan dengan kehilangan kuasa yang dikurangkan.FF200R06KE3 adalah penyelesaian praktikal untuk sistem yang memerlukan penukaran berprestasi tinggi yang stabil.

Alternatif FF200R06KE3

• AMFF200R06KE3

• FF200R12KE3

• FF300R06KE3

• FF200R06KE3HOSA1

• FF200R06KE3-B2

Aplikasi FF200R06KE3

Pemacu penyongsang kekerapan

Ciri -ciri penukaran yang dioptimumkan modul, seperti kerugian penukaran yang dikurangkan dan kelembutan yang lebih baik, meningkatkan prestasi dan kecekapan sistem penyongsang.​

Pemacu Motor Perindustrian

Mampu mengendalikan arus dan voltan yang tinggi, FF200R06KE3 sangat sesuai untuk mengawal motor perindustrian yang besar, menyediakan operasi motor yang boleh dipercayai dan tepat.

Bekalan kuasa

Keupayaan pengendalian kuasa tinggi modul menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam unit bekalan kuasa yang memerlukan penukaran dan pengurusan tenaga yang cekap.

Sistem Tenaga Boleh Diperbaharui

Dalam aplikasi seperti penukaran tenaga solar dan angin, FF200R06KE3 boleh digunakan untuk menguruskan pemindahan yang cekap dan penukaran tenaga dari sumber yang boleh diperbaharui.

Pakej FF200R06KE3 OUTLINE

Rajah pembungkusan FF200R06KE3 menunjukkan susun atur mekanikal terperinci modul.Ia menggunakan perumahan 62 mm standard, berukuran panjang 106.4 mm dan lebar 62 mm.Modul ini mempunyai tiga terminal utama untuk sambungan kuasa, masing -masing jarak sama rata pada 28 mm, dengan lubang pemasangan di kedua -dua hujung untuk pemasangan yang selamat.Ketinggian perumahan adalah sekitar 30 mm, termasuk pin terminal.Ia termasuk penyambung kawalan 7-pin (DIN46244-A2.8-0.5-BZ) di sisi untuk kawalan isyarat pintu dan pemancar.Lukisan ini juga menentukan kedalaman pemasangan (minimum 7 mm, maksimum 10 mm) dan toleransi mengikut piawaian ISO2768.Garis besar standard ini membantu anda dengan mudah mengintegrasikan modul ke dalam reka bentuk anda dengan pemasangan dan pendawaian yang tepat.

FF200R06KE3 Manfaat

Kecekapan tinggi: Menggunakan teknologi IGBT yang maju, modul ini mencapai kejatuhan voltan yang rendah, mengakibatkan kerugian pengaliran yang dikurangkan dan kecekapan keseluruhan yang lebih baik.

Prestasi terma yang mantap: Direka untuk kestabilan terma yang baik, FF200R06KE3 boleh beroperasi dengan berkesan di bawah keadaan suhu tinggi, memastikan prestasi dan panjang umur yang konsisten.

Kemudahan penggunaan: Modul ini mempunyai reka bentuk gunung skru, memudahkan pemasangan mudah dan selamat dalam pelbagai sistem.​

Reka bentuk padat: Dengan panjang 106.4 mm, FF200R06KE3 menawarkan faktor bentuk padat, yang membolehkan penggunaan ruang yang cekap dalam peralatan dan sistem.​

Pengilang

Infineon Technologies AG, yang beribu pejabat di Neubiberg, Jerman, adalah pengeluar semikonduktor global terkemuka.Ditubuhkan pada tahun 1999 sebagai spin-off dari Siemens AG, Infineon telah berkembang menjadi salah satu daripada sepuluh syarikat semikonduktor teratas di dunia.Syarikat itu menggaji kira -kira 58,000 orang dan melaporkan jualan sekitar € 15 bilion pada tahun 2024.

FF200R06KE3 vs Perbandingan FF200R12KE3

Parameter	FF200R06KE3	FF200R12KE3
Voltan pemancar-pemancar (vCES)	600 v	1200 v
Semasa pengumpul berterusan (iC)	200 a	200 a
Jenis Pakej	62 mm	62 mm
Teknologi IGBT	Trenchstop ™ IGBT3	Trenchstop ™ IGBT3
Teknologi Diod	Pemancar dikawal 3 diod	Pemancar diod kecekapan tinggi
Suhu persimpangan operasi (tvj op)	Sehingga 150 ° C.	Sehingga 125 ° C.
Voltan tepu pemancar-pemancar (vCesat)	1.9 V pada vGe = 15 V, IC = 200 a	2.0 V pada vGe = 15 V, IC = 200 a
Kapasitans input (CIES)	13.0 nf	14.0 nf
Kapasitansi pemindahan terbalik (CRES)	0.5 nf	0.5 nf
Caj Gate (QG)	1.9 μC	1.9 μC
Rintangan Pintu Dalaman (RGINT)	3.8 Ω	3.8 Ω
Masa kelewatan berpaling (td (on))	0.25 μs	0.25 μs
Masa naik (TR)	0.09 μs	0.09 μs
Masa kelewatan putar (td (mati))	0.55 μs	0.55 μs
Waktu Kejatuhan (TF)	0.13 μs	0.13 μs
Jumlah pelesapan kuasa (ptot)	680 w	1050 w
Voltan ujian pengasingan (vIsol)	2500 v	2500 v
Berat	340 g	340 g
Gaya pemasangan	Skru gunung	Skru gunung
Pensijilan	UL1557 E83336	UL1557 E83336
Pematuhan ROHS	Ya	Ya

Kesimpulan

Ringkasnya, modul FF200R06KE3 dari Infineon Technologies menunjukkan inovasi dalam pengurusan kuasa.Ia direka untuk menyokong pelbagai aplikasi yang menuntut dengan kecekapan yang tinggi dan prestasi yang mantap.Artikel ini menunjukkan mengapa FF200R06KE3 adalah pilihan yang boleh dipercayai bagi sesiapa yang memerlukan penyelesaian kuasa maju, menjadikannya alat yang berharga dalam tetapan perindustrian moden.

Datasheet pdf

Lembaran data FF200R06KE3:

FF200R06KE3.PDF
FF200R06KE3 Butiran PDF
FF200R06KE3 PDF - DE.PDF
FF200R06KE3 PDF - FR.PDF
FF200R06KE3 PDF - ES.PDF
FF200R06KE3 PDF - IT.PDF
FF200R06KE3 PDF - KR.PDF